Mos ICs And Technology 簡介
該應用程序是一本完整的 Mos IC 和技術免費手冊，涵蓋了課程中的重要主題、筆記和材料。
該應用程序專為考試和麵試時的快速學習、修訂、參考而設計。
這個應用程序涵蓋了大部分相關主題和所有基礎主題的詳細解釋。
它詳細涵蓋了 MOS ICs & Technology 的 114 個主題。這 114 個主題分為 8 個單元
此應用程序中涵蓋的一些主題是：
1. 摩爾定律。
2. 現有技術比較
3.基本MOS晶體管
4.增強模式晶體管動作：
5. NMOS 製作：
6. CMOS 製造- P-WELL 工藝
7. CMOS 製造-N-WELL 工藝：
8. CMOS 製造-Twin-tub 工藝
9. Bi-CMOS 技術： - (Bipolar CMOS)：
10. 電子束面罩生產
11. MOS管簡介
12. Vgs 和 Ids 之間的關係，對於固定的 Vds
13. MOS方程（Basic DC equations）：
14. 二階效應
15. CMOS 逆變器特性
16. 逆變器直流特性
17. 逆變器直流特性的圖形推導
18. 噪聲容限
19. 靜態負載MOS逆變器
20.傳送門
21. 三態逆變器
22. Stick diagrams-Encodings for NMOS process
23. CMOS 工藝的編碼
24. BJT 和 MOSFET 的編碼
25. NMOS 和 CMOS 設計風格
26. 設計規則 - MOS ICs & Technology
27. 通過
28. 基於 CMOS lambda 的設計規則
29. Orbit 2um CMOS工藝
30. 阻力估計。
31. mos晶體管的薄層電阻
32. 電容估算
33. 延誤
34. 逆變器延時
35. 延遲的正式估計
36、驅動大容性負載
37. f的最優值
38. 超級緩衝
39. Bicmos 司機
40. 傳播延遲
41. 其他電容來源
42.層的選擇
43. mos 設備的縮放
44.基本物理設計概述
45. 基本物理設計概述
46.基本門的示意圖和佈局-逆變器門
47.基本門的原理圖和佈局-NAND和NOR門
48.傳送門
49. CMOS標准單元設計
50.針對性能的佈局優化
51. 總體佈局指南
52. BICMOS 邏輯
53. 偽 nmos 邏輯
54. 偽 nmos 的其他變體——多漏極邏輯和聯動邏輯
55. 偽 nmos 的其他變體——動態 CMOS 邏輯
56. 偽 nmos-CLOCKED CMOS LOGIC (C2MOS) 的其他變體
57. CMOS 多米諾邏輯
58. 級聯電壓開關邏輯
59. 通過晶體管邏輯
60. CMOS技術邏輯電路結構
61. MOS電路的縮放
62. 技術擴展
63. 國際半導體技術路線圖 (ITRS)
64. 設備參數的縮放模型和縮放因子
65. 縮放的含義
66. 互連問題
67. 可達半徑
68. 動態和靜態功率
69. 生產力和物理極限
70. 縮放的限制
71. 基板摻雜
72. 耗盡寬度
73. 小型化的極限
74. 互連和接觸電阻的限制
75. 亞閾值電流的限制
76. 亞閾值電流的限制
77.系統
78. 超大規模集成電路設計流程
79. 3 結構化設計方法
80. 規律性
81. MOSFET 作為開關
82、開關的並聯和串聯
83. CMOS 反相器
84. 與非門設計
85. 或非門設計
86. CMOS 屬性
87. 複合門
88. 複合門 AOI
由於字數限制，未列出所有主題。
每個主題都配有圖表、方程式和其他形式的圖形表示，以便更好地學習和快速理解。
特徵 ：
*章節明智的完整主題
* 豐富的 UI 佈局
* 舒適的閱讀模式
* 重要的考試題目
* 非常簡單的用戶界面
*涵蓋大部分主題
* 一鍵獲取相關全書
這個應用程序將有助於快速參考。使用這個應用程序可以在幾個小時內完成所有概念的修改。
請不要給我們較低的評級，而是將您的疑問、問題郵寄給我們，並給我們有價值的評級和建議，以便我們在以後的更新中考慮它。我們很樂意為您解決這些問題。
該應用程序專為考試和麵試時的快速學習、修訂、參考而設計。
這個應用程序涵蓋了大部分相關主題和所有基礎主題的詳細解釋。
它詳細涵蓋了 MOS ICs & Technology 的 114 個主題。這 114 個主題分為 8 個單元
此應用程序中涵蓋的一些主題是：
1. 摩爾定律。
2. 現有技術比較
3.基本MOS晶體管
4.增強模式晶體管動作：
5. NMOS 製作：
6. CMOS 製造- P-WELL 工藝
7. CMOS 製造-N-WELL 工藝：
8. CMOS 製造-Twin-tub 工藝
9. Bi-CMOS 技術： - (Bipolar CMOS)：
10. 電子束面罩生產
11. MOS管簡介
12. Vgs 和 Ids 之間的關係，對於固定的 Vds
13. MOS方程（Basic DC equations）：
14. 二階效應
15. CMOS 逆變器特性
16. 逆變器直流特性
17. 逆變器直流特性的圖形推導
18. 噪聲容限
19. 靜態負載MOS逆變器
20.傳送門
21. 三態逆變器
22. Stick diagrams-Encodings for NMOS process
23. CMOS 工藝的編碼
24. BJT 和 MOSFET 的編碼
25. NMOS 和 CMOS 設計風格
26. 設計規則 - MOS ICs & Technology
27. 通過
28. 基於 CMOS lambda 的設計規則
29. Orbit 2um CMOS工藝
30. 阻力估計。
31. mos晶體管的薄層電阻
32. 電容估算
33. 延誤
34. 逆變器延時
35. 延遲的正式估計
36、驅動大容性負載
37. f的最優值
38. 超級緩衝
39. Bicmos 司機
40. 傳播延遲
41. 其他電容來源
42.層的選擇
43. mos 設備的縮放
44.基本物理設計概述
45. 基本物理設計概述
46.基本門的示意圖和佈局-逆變器門
47.基本門的原理圖和佈局-NAND和NOR門
48.傳送門
49. CMOS標准單元設計
50.針對性能的佈局優化
51. 總體佈局指南
52. BICMOS 邏輯
53. 偽 nmos 邏輯
54. 偽 nmos 的其他變體——多漏極邏輯和聯動邏輯
55. 偽 nmos 的其他變體——動態 CMOS 邏輯
56. 偽 nmos-CLOCKED CMOS LOGIC (C2MOS) 的其他變體
57. CMOS 多米諾邏輯
58. 級聯電壓開關邏輯
59. 通過晶體管邏輯
60. CMOS技術邏輯電路結構
61. MOS電路的縮放
62. 技術擴展
63. 國際半導體技術路線圖 (ITRS)
64. 設備參數的縮放模型和縮放因子
65. 縮放的含義
66. 互連問題
67. 可達半徑
68. 動態和靜態功率
69. 生產力和物理極限
70. 縮放的限制
71. 基板摻雜
72. 耗盡寬度
73. 小型化的極限
74. 互連和接觸電阻的限制
75. 亞閾值電流的限制
76. 亞閾值電流的限制
77.系統
78. 超大規模集成電路設計流程
79. 3 結構化設計方法
80. 規律性
81. MOSFET 作為開關
82、開關的並聯和串聯
83. CMOS 反相器
84. 與非門設計
85. 或非門設計
86. CMOS 屬性
87. 複合門
88. 複合門 AOI
由於字數限制，未列出所有主題。
每個主題都配有圖表、方程式和其他形式的圖形表示，以便更好地學習和快速理解。
特徵 ：
*章節明智的完整主題
* 豐富的 UI 佈局
* 舒適的閱讀模式
* 重要的考試題目
* 非常簡單的用戶界面
*涵蓋大部分主題
* 一鍵獲取相關全書
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